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電池設(shè)備
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xBC電池激光開膜
激光開膜設(shè)備采用特殊光路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高速高效開膜，有效控制電池片圖形化的精度；可以兼容N型硅或者P型硅襯底；可以降低電池片背面金屬的線電阻，同時(shí)提高接觸能力，具備極致電學(xué)+鈍化能力。
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低壓化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備LPCVD
在低壓氛圍下，通過熱分解的方式成膜?？芍苽溲趸韬投喾N晶硅薄膜，滿足隧穿氧化鈍化等特殊工序要求，可用于高效N型TOPCon和BC等電池。
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低壓氧化/退火設(shè)備
低壓水平氧化/退火系統(tǒng)適用于多種太陽能電池結(jié)構(gòu)熱退火和熱激活工藝，適用于PERC，PERT，TOPCon和BC等電池應(yīng)用。
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低壓硼擴(kuò)散設(shè)備
通過高溫?zé)岱纸夂突瘜W(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)硼硅玻璃(BSG)的生長和硼原子的擴(kuò)散摻雜。應(yīng)用于硅片氧化，硼摻雜。
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低壓磷擴(kuò)散設(shè)備
通過高溫?zé)岱纸夂突瘜W(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)磷硅玻璃（PSG）的沉積和磷原子的擴(kuò)散摻雜。應(yīng)用于硅片氧化，磷摻雜，Poly磷摻雜等功能。
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原子層沉積鍍膜系統(tǒng)ALD
通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器，使其在沉積基體上吸附并反應(yīng)形成沉積膜，適用于TOPCon等電池應(yīng)用。
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原子層邊緣鈍化沉積整線系統(tǒng)
激光無損裂片即是通過激光精確控制加熱與局部輔助冷卻使硅片產(chǎn)生較大溫度梯度，材料產(chǎn)生熱應(yīng)力到斷裂閩值并產(chǎn)生斷裂,裂縫沿著由激光束路徑引起的熱梯度傳播導(dǎo)致材料完全分開。
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激光誘導(dǎo)金屬化(LIM)設(shè)備
利用激光精確破壞硅片表面的鈍化層，優(yōu)化金屬接觸和減少接觸電阻，來提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率；適用TOPCon、xBC半片、三分片、0BB版型等工藝。
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電池激光poly減薄設(shè)備/電池激光氧化設(shè)備
設(shè)備針對(duì)TOPCon電池研發(fā)，利用超快激光打開背面PSG，再配合濕法工藝達(dá)到減薄多晶硅的功能，減少背面多晶硅對(duì)光的寄生吸收，實(shí)現(xiàn)降本增效。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD
采用高溫放電的方式使氣體電離成等離子體反應(yīng)沉積成膜?？梢灾苽涮蓟?氮化硅/氮氧化硅/氧化鋁等多種薄膜。適用于PERC，PERT，TOPCon和BC等電池應(yīng)用。
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