檢測(cè)分析
隱裂檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：主要檢測(cè)電池的隱裂、崩邊、碎片、疊片缺陷。
參數(shù)性能：CT：≥5000psc/小時(shí)（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；誤判率:≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；漏檢率:≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）
花籃碎片檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：主要用于制絨、堿拋、擴(kuò)散等工藝段花籃檢測(cè)，檢測(cè)碎片帶液、連片、缺片、錯(cuò)齒、插片不齊等等。
參數(shù)性能：CT≤5s/psc；破片檢測(cè)最小尺寸：≤10x10mm；碎片檢測(cè)最小尺寸：≤5x5mm；漏檢率：≤1%；漏判率：”≤0.1%
石英舟碎片檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：對(duì)運(yùn)動(dòng)過程中石英舟頂齒進(jìn)行在線實(shí)時(shí)檢測(cè)，可對(duì)石英舟所搭載硅片的翹片、掉片、舟面碎片、空片進(jìn)行檢測(cè)。
參數(shù)性能：匹配自動(dòng)化產(chǎn)能，不低于自動(dòng)化產(chǎn)能；漏檢率：≤2%；漏判率：”≤0.2%
石墨舟碎片檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：對(duì)運(yùn)動(dòng)過程中的石墨舟頂齒進(jìn)行在線實(shí)時(shí)檢測(cè)，可對(duì)石墨舟所搭載硅片的翹片、掉片、舟面碎片、空片進(jìn)行檢測(cè)。
參數(shù)性能：匹配自動(dòng)化產(chǎn)能，不低于自動(dòng)化產(chǎn)能；漏檢率：≤2%；漏判率：”≤0.2%
方阻檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：采用接觸&非接觸測(cè)量方式，在線檢測(cè)硅片方阻，用于監(jiān)控?cái)U(kuò)散工藝的非接觸方阻測(cè)試儀，支持多點(diǎn)測(cè)試或線掃模式。
參數(shù)性能：CT≤接觸式≤5s/psc/非接觸式≤1s/pcs；靜態(tài)重復(fù)性：≤1.5%；動(dòng)態(tài)重復(fù)性≤1.5%；測(cè)試準(zhǔn)確性：≤1.5%
反射率檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：通過非接觸的方式采集樣品光譜信息并轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并使用特有算法解析并計(jì)算獲得反射率信息。
參數(shù)性能：CT：≤0.5s/pcs（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；反射率靜態(tài)重復(fù)精度：±0.05%；反射率精準(zhǔn)性：±0.1%
膜厚檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：通過非接觸的方式采集樣品光譜信息并轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并使用特有算法解析并計(jì)算獲得膜厚和折射率等薄膜光學(xué)常數(shù)?？蓽y(cè)試PolySi、SiO2、BC電池圖案化PolySi膜層、SiNx、ITO、ZnO、TiO2、SnO2等薄膜
參數(shù)性能：CT：≤0.5s/psc（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；膜厚測(cè)試范圍：40nm-2000nm；膜厚靜態(tài)重復(fù)性測(cè)量精度：標(biāo)準(zhǔn)差≤0.5nm；Poly膜厚測(cè)試精準(zhǔn)性:±3nm
AOI檢測(cè)
產(chǎn)品簡介：用于PECVD工序，配合自動(dòng)插卸片機(jī)將鍍膜后的電池片自動(dòng)進(jìn)行色差和缺陷檢測(cè)。
參數(shù)性能：≥自動(dòng)插卸片機(jī)每小時(shí)產(chǎn)能
漏檢率≤0.1%
誤檢率≤0.3%
PL檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：主要檢測(cè)種類包括且不局限:隱裂、劃傷、吸盤印、黑斑、同心圓、石墨舟印、手指印。
參數(shù)性能：CT：≥5000psc/小時(shí)（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；誤判率:≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；漏檢率:≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；重復(fù)性:NG片重復(fù)性98%
橢偏膜厚檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：通過非接觸的方式采集樣品光譜信息并轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，使用特有算法解析并計(jì)算獲得膜厚和折射率等薄膜光學(xué)常數(shù)?？蓽y(cè)試SiNx、Al2O3、BSG等絨面薄膜。
參數(shù)性能：CT≤0.5s/psc（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；膜厚測(cè)試范圍：40nm-2000nm；膜厚靜態(tài)重復(fù)性測(cè)量精度：標(biāo)準(zhǔn)差≤0.5nm；膜厚測(cè)試精準(zhǔn)性：±3nm
在線厚度檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：通過微米級(jí)激光掃描儀進(jìn)行原硅片厚度檢測(cè)。
參數(shù)性能：CT≤0.6s/psc；掃描儀精度:±2μm；靜態(tài)重復(fù)性:±3μm；硅片Z軸波動(dòng)要求:≤0.5mm
AOI檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：絲網(wǎng)：主要檢測(cè)電池片印刷工藝后的斷柵、印偏、線粗、背電極、漏漿等缺陷。正背膜：檢測(cè)成品電池片的斷柵、印偏、線粗、背電極、漏漿、粗柵、崩邊、白斑、網(wǎng)版異常、片內(nèi)色差等缺陷。
參數(shù)性能：CT：絲網(wǎng)≤0.6s/psc/正背膜≤0.7s/psc；誤判率:≤5%，良率98%（計(jì)算方式：復(fù)判A級(jí)總數(shù)/NG總數(shù) *100%）；漏檢率:≤0.1%，良率98%（計(jì)算方式：漏判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）
EPL檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：采用非接觸式結(jié)構(gòu)測(cè)量EL圖像與PL圖像，相較常規(guī)EL，不對(duì)電池造成接觸式損傷，提高現(xiàn)場良率。
參數(shù)性能：CT≥5000s/psc，（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；誤判率：≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；漏判率：≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；重復(fù)性：NG片重復(fù)性98%
IV&EL檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：EL：通過機(jī)器視覺實(shí)時(shí)檢測(cè)太陽能電池片的缺陷的檢測(cè)系統(tǒng)，將電池片進(jìn)行等級(jí)分檔，同時(shí)對(duì)檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，根據(jù)缺陷面積、缺陷數(shù)量等各種屬性進(jìn)行缺陷卡控，主要檢測(cè)種類包括且不局限：隱裂、劃傷、吸盤印、黑斑、同心圓、石墨舟印、手指印等。IV：支持四象限測(cè)量、階梯光強(qiáng)、逆向電流測(cè)試，多種測(cè)試方法，準(zhǔn)確測(cè)量Rs和Rsh。
參數(shù)性能：CT：≥5000s/pcs，（匹配自動(dòng)化產(chǎn)能）；誤判率：≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；漏判率：≤0.2%，良率98%（計(jì)算方式：誤判總數(shù)/總檢測(cè)數(shù)量*100%）；重復(fù)性：NG片重復(fù)性98%
激光光斑檢測(cè)儀
產(chǎn)品簡介：測(cè)量激光光束在電池片上形成的光斑尺寸、形狀及能量分布的專業(yè)儀器。
參數(shù)性能：CT≤0.7s/pcs；像素點(diǎn)精度：1μm/Pixel；靜態(tài)穩(wěn)定性：±1μm
